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UF3C065080K4S

UF3C065080K4S Qorvo

da008634 Hersteller: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
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Technische Details UF3C065080K4S Qorvo

Description: QORVO - UF3C065080K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247, tariffCode: 85411000, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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UF3C065080K4S UF3C065080K4S Hersteller : Qorvo UF3C065080K4S_Data_Sheet-3177162.pdf MOSFET 650V/80mO,SICFET,G3,TO247-4
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UF3C065080K4S UF3C065080K4S Hersteller : Qorvo / UnitedSiC UF3C065080K4S_Data_Sheet-3177162.pdf MOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-4L, REDUCED Rth
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UF3C065080K4S UF3C065080K4S Hersteller : Qorvo (UnitedSiC) UF3C065080K4S.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 23A
Case: TO247-4
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; Kelvin terminal
Technology: SiC
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 23A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Power dissipation: 190W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 43nC
Kind of transistor: cascode
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 65A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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UF3C065080K4S UF3C065080K4S Hersteller : Qorvo (UnitedSiC) UF3C065080K4S.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 23A
Case: TO247-4
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; Kelvin terminal
Technology: SiC
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 23A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Power dissipation: 190W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 43nC
Kind of transistor: cascode
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 65A
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UF3C065080K4S UF3C065080K4S Hersteller : QORVO 3750891.pdf Description: QORVO - UF3C065080K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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