UF3C120040K3S onsemi
Hersteller: onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 35655 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 37.89 EUR |
| 30+ | 27.44 EUR |
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Technische Details UF3C120040K3S onsemi
Description: ONSEMI - UF3C120040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 429W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote UF3C120040K3S nach Preis ab 31.15 EUR bis 53.50 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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UF3C120040K3S | Hersteller : onsemi |
SiC MOSFETs 1200V/40mO,SICFET,G3,TO247-3 |
auf Bestellung 163 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UF3C120040K3S | Hersteller : Qorvo |
SiC MOSFETs 1200V/40mOhms,SICFET,G3,TO247-3 |
auf Bestellung 193 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UF3C120040K3S | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - UF3C120040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 429W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 513 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |