UF3C120150B7S onsemi
Hersteller: onsemi
Description: 1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
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Technische Details UF3C120150B7S onsemi
Description: ONSEMI - UF3C120150B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 150 mohm, D2PAK, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: D2PAK, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 150mohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote UF3C120150B7S nach Preis ab 8.57 EUR bis 18.59 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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UF3C120150B7S | Qorvo |
SiC MOSFETs 1200V/150mO,SICFET,G3,TO263-7 |
auf Bestellung 587 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UF3C120150B7S | Qorvo / UnitedSiC |
MOSFET 1200V/150mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth |
auf Bestellung 4969 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UF3C120150B7S | onsemi |
Description: 1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V |
auf Bestellung 137995 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UF3C120150B7S | onsemi |
SiC MOSFETs 1200V/150MOSICFETG3TO263-7 |
auf Bestellung 377 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UF3C120150B7S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - UF3C120150B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 150 mohm, D2PAK tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: D2PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 150mohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1129 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| UF3C120150B7S |
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Hersteller: Qorvo
SiC MOSFETs 1200V/150mO,SICFET,G3,TO263-7
SiC MOSFETs 1200V/150mO,SICFET,G3,TO263-7
auf Bestellung 587 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 12.81 EUR |
| 25+ | 11.12 EUR |
| 100+ | 9.59 EUR |
| 250+ | 8.84 EUR |
| 500+ | 8.82 EUR |
| 800+ | 8.57 EUR |
| UF3C120150B7S |
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Hersteller: Qorvo / UnitedSiC
MOSFET 1200V/150mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
MOSFET 1200V/150mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
auf Bestellung 4969 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 16.02 EUR |
| 10+ | 14.48 EUR |
| 100+ | 11.99 EUR |
| 500+ | 10.89 EUR |
| 800+ | 9.93 EUR |
| UF3C120150B7S |
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Hersteller: onsemi
Description: 1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
Description: 1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 17.46 EUR |
| 10+ | 12.1 EUR |
| 100+ | 10.26 EUR |
| UF3C120150B7S |
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Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs 1200V/150MOSICFETG3TO263-7
SiC MOSFETs 1200V/150MOSICFETG3TO263-7
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 18.59 EUR |
| 10+ | 12.9 EUR |
| 100+ | 10.23 EUR |
| 500+ | 9.54 EUR |
| UF3C120150B7S |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3C120150B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 150 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
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Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 150mohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - UF3C120150B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 150 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
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Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 150mohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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