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UF3C120150K4S

UF3C120150K4S Qorvo

UF3C120150K4S_Data_Sheet-3177199.pdf
Hersteller: Qorvo
SiC MOSFETs 1200V/150mO,SICFET,G3,TO247-4
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Technische Details UF3C120150K4S Qorvo

Description: ONSEMI - UF3C120150K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 166.7W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
UF3C120150K4S UF3C120150K4S Qorvo / UnitedSiC UF3C120150K4S_Data_Sheet-3177199.pdf MOSFET 1200V/150mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-4L, REDUCED Rth
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120+14.77 EUR
510+12.85 EUR
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UF3C120150K4S UF3C120150K4S onsemi UF3C120150K4S-D.PDF Description: SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-4
Power Dissipation (Max): 166.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
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UF3C120150K4S UF3C120150K4S onsemi UF3C120150K4S-D.PDF SiC MOSFETs 1200V/150MOSICFETG3TO247-4
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UF3C120150K4S UF3C120150K4S ONSEMI UF3C120150K4S-D.PDF Description: ONSEMI - UF3C120150K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166.7W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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UF3C120150K4S
Hersteller: Qorvo / UnitedSiC
MOSFET 1200V/150mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-4L, REDUCED Rth
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UF3C120150K4S
Hersteller: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-4
Power Dissipation (Max): 166.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
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SiC MOSFETs 1200V/150MOSICFETG3TO247-4
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UF3C120150K4S
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3C120150K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166.7W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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