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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 15.14 EUR |
| 25+ | 13.15 EUR |
| 100+ | 11.35 EUR |
| 250+ | 10.45 EUR |
| 600+ | 10.16 EUR |
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Technische Details UF3C120150K4S Qorvo
Description: QORVO - UF3C120150K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 166.7W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote UF3C120150K4S nach Preis ab 10.08 EUR bis 19.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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UF3C120150K4S | Hersteller : onsemi |
 SiC MOSFETs 1200V/150MOSICFETG3TO247-4 |
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UF3C120150K4S | Hersteller : onsemi |
Description: SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V Power Dissipation (Max): 166.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V |
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UF3C120150K4S | Hersteller : Qorvo / UnitedSiC |
MOSFET 1200V/150mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-4L, REDUCED Rth |
auf Bestellung 136 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UF3C120150K4S | Hersteller : QORVO |
Description: QORVO - UF3C120150K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 166.7W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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