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UF3N170400B7S

UF3N170400B7S onsemi

UF3N170400B7S-D.PDF
Hersteller: onsemi
Description: JFET N-CH 1.7KV 6.8A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1700 V
Current Drain (Id) - Max: 6.8 A
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Power - Max: 68 W
Resistance - RDS(On): 500 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.2 µA @ 1700 V
auf Bestellung 3200 Stücke:
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800+7.52 EUR
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Technische Details UF3N170400B7S onsemi

Description: JFET N-CH 1.7KV 6.8A D2PAK-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), FET Type: N-Channel, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 100V, Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1700 V, Current Drain (Id) - Max: 6.8 A, Supplier Device Package: D2PAK-7, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Power - Max: 68 W, Resistance - RDS(On): 500 mOhms, Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.2 µA @ 1700 V.

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UF3N170400B7S UF3N170400B7S Qorvo UF3N170400B7S_Data_Sheet-3177149.pdf JFETs 1700V/400mO,SIC,JFET,G3,TO263-7
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25+11.83 EUR
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250+9.4 EUR
500+9.1 EUR
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UF3N170400B7S UF3N170400B7S onsemi UF3N170400B7S-D.PDF Description: JFET N-CH 1.7KV 6.8A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
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Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1700 V
Current Drain (Id) - Max: 6.8 A
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Power - Max: 68 W
Resistance - RDS(On): 500 mOhms
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UF3N170400B7S UF3N170400B7S onsemi UF3N170400B7S-D.PDF JFETs 1700V/400MOSICJFETG3TO263-7
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UF3N170400B7S
Hersteller: Qorvo
JFETs 1700V/400mO,SIC,JFET,G3,TO263-7
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Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1700 V
Current Drain (Id) - Max: 6.8 A
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Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Power - Max: 68 W
Resistance - RDS(On): 500 mOhms
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