UF3N170400B7S onsemi
Hersteller: onsemiDescription: JFET N-CH 1.7KV 6.8A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1700 V
Current Drain (Id) - Max: 6.8 A
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Power - Max: 68 W
Resistance - RDS(On): 500 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.2 µA @ 1700 V
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| Anzahl | Preis |
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| 800+ | 8.22 EUR |
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Technische Details UF3N170400B7S onsemi
Description: ONSEMI - UF3N170400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 6.8 A, 1.7 kV, 400 mohm, D2PAK, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -6.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: D2PAK, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400mohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote UF3N170400B7S nach Preis ab 9.08 EUR bis 17.27 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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UF3N170400B7S | Hersteller : Qorvo |
JFETs 1700V/400mO,SIC,JFET,G3,TO263-7 |
auf Bestellung 220 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UF3N170400B7S | Hersteller : onsemi |
Description: JFET N-CH 1.7KV 6.8A D2PAK-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 100V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1700 V Current Drain (Id) - Max: 6.8 A Supplier Device Package: D2PAK-7 Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Power - Max: 68 W Resistance - RDS(On): 500 mOhms Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.2 µA @ 1700 V |
auf Bestellung 6961 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UF3N170400B7S | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - UF3N170400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 6.8 A, 1.7 kV, 400 mohm, D2PAK tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -6.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: D2PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400mohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 412 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| UF3N170400B7S | Hersteller : United Silicon Carbide |
1700V - 400mW SiC Normally-on JFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| UF3N170400B7S | Hersteller : United Silicon Carbide |
UF3N170400B7S |
Produkt ist nicht verfügbar |