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UF3SC065007K4S

UF3SC065007K4S onsemi

UF3SC065007K4S-D.PDF Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 120A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 789W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8360 pF @ 100 V
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Technische Details UF3SC065007K4S onsemi

Description: ONSEMI - UF3SC065007K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 650 V, 0.0067 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 789W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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UF3SC065007K4S UF3SC065007K4S Hersteller : onsemi UF3SC065007K4S_D-3578746.pdf SiC MOSFETs 650V/7MOSICFETG3TO247-4
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UF3SC065007K4S UF3SC065007K4S Hersteller : Qorvo / UnitedSiC UF3SC065007K4S_Data_Sheet-3177075.pdf MOSFET 650V/7mOhm, SiC, N-OFF STACKED CASCODE, G3 FAST, TO-247-4L
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UF3SC065007K4S UF3SC065007K4S Hersteller : Qorvo UF3SC065007K4S_Data_Sheet-3177075.pdf MOSFET 650V/7mOhms,SiCFET,G3,TO247-4
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UF3SC065007K4S UF3SC065007K4S Hersteller : ONSEMI 3750900.pdf Description: ONSEMI - UF3SC065007K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 650 V, 0.0067 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 789W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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UF3SC065007K4S UF3SC065007K4S Hersteller : United Silicon Carbide ds_uf3sc065007k4s.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 120A 4-Pin(4+Tab) TO-247
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