UF3SC065007K4S onsemi
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 120A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 789W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8360 pF @ 100 V
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Technische Details UF3SC065007K4S onsemi
Description: ONSEMI - UF3SC065007K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 650 V, 6700 µohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 789W, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm.
Weitere Produktangebote UF3SC065007K4S nach Preis ab 85.91 EUR bis 144.27 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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UF3SC065007K4S | onsemi |
SiC MOSFETs 650V/7MOSICFETG3TO247-4 |
auf Bestellung 449 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UF3SC065007K4S | Qorvo / UnitedSiC |
MOSFET 650V/7mOhm, SiC, N-OFF STACKED CASCODE, G3 FAST, TO-247-4L |
auf Bestellung 330 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UF3SC065007K4S | Qorvo |
MOSFET 650V/7mOhms,SiCFET,G3,TO247-4 |
auf Bestellung 167 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UF3SC065007K4S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - UF3SC065007K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 650 V, 6700 µohm, TO-247 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 789W SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 12V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm |
auf Bestellung 335 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| UF3SC065007K4S |
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Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs 650V/7MOSICFETG3TO247-4
SiC MOSFETs 650V/7MOSICFETG3TO247-4
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 117.48 EUR |
| 10+ | 85.91 EUR |
| UF3SC065007K4S |
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Hersteller: Qorvo / UnitedSiC
MOSFET 650V/7mOhm, SiC, N-OFF STACKED CASCODE, G3 FAST, TO-247-4L
MOSFET 650V/7mOhm, SiC, N-OFF STACKED CASCODE, G3 FAST, TO-247-4L
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 144.21 EUR |
| 10+ | 137.02 EUR |
| 120+ | 131.24 EUR |
| 510+ | 128.87 EUR |
| UF3SC065007K4S |
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Hersteller: Qorvo
MOSFET 650V/7mOhms,SiCFET,G3,TO247-4
MOSFET 650V/7mOhms,SiCFET,G3,TO247-4
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 144.27 EUR |
| 25+ | 137.07 EUR |
| 100+ | 130.2 EUR |
| 250+ | 115.51 EUR |
| 600+ | 109.38 EUR |
| 3000+ | 107.2 EUR |
| 5400+ | 103.93 EUR |
| UF3SC065007K4S |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3SC065007K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 650 V, 6700 µohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 789W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
Description: ONSEMI - UF3SC065007K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 650 V, 6700 µohm, TO-247
tariffCode: 85412900
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Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
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Verlustleistung: 789W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
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