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UF3SC120009K4S

UF3SC120009K4S United Silicon Carbide

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Hersteller: United Silicon Carbide
1200V-8.6mW SiC FET
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Technische Details UF3SC120009K4S United Silicon Carbide

Description: ONSEMI - UF3SC120009K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 8600 µohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 789W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8600µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
UF3SC120009K4S UF3SC120009K4S onsemi UF3SC120009K4S-D.PDF Description: SICFET N-CH 1200V 120A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 12V
Power Dissipation (Max): 789W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8512 pF @ 100 V
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UF3SC120009K4S UF3SC120009K4S onsemi UF3SC120009K4S-D.PDF SiC MOSFETs 1200V/9MOSICFETG3TO247
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UF3SC120009K4S UF3SC120009K4S Qorvo UF3SC120009K4S_Data_Sheet-3177200.pdf SiC MOSFETs 1200V/9mO,SICFET,G3,TO247-4
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UF3SC120009K4S UF3SC120009K4S ONSEMI 3750901.pdf Description: ONSEMI - UF3SC120009K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 8600 µohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 789W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8600µohm
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UF3SC120009K4S
Hersteller: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 120A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 12V
Power Dissipation (Max): 789W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8512 pF @ 100 V
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UF3SC120009K4S
Hersteller: Qorvo
SiC MOSFETs 1200V/9mO,SICFET,G3,TO247-4
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UF3SC120009K4S
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3SC120009K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 8600 µohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 789W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8600µohm
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