| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 23.7 EUR |
| 25+ | 20.61 EUR |
| 100+ | 17.78 EUR |
| 250+ | 16.37 EUR |
| 600+ | 15.9 EUR |
| 3000+ | 15.87 EUR |
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Technische Details UF4C120053K3S Qorvo
Description: ONSEMI - UF4C120053K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 53 mohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 263W, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 53mohm.
Weitere Produktangebote UF4C120053K3S nach Preis ab 14.51 EUR bis 35.83 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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UF4C120053K3S | onsemi |
 Description: 1200V/53MOHM, SIC, FAST CASCODE,Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 12V Power Dissipation (Max): 263W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V |
auf Bestellung 713 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UF4C120053K3S | onsemi |
SiC MOSFETs 1200V/53MOSICFETG4TO247-3 |
auf Bestellung 294 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UF4C120053K3S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - UF4C120053K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 53 mohm, TO-247 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 263W SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 12V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 53mohm |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| UF4C120053K3S |
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Hersteller: onsemi
Description: 1200V/53MOHM, SIC, FAST CASCODE,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
Description: 1200V/53MOHM, SIC, FAST CASCODE,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
auf Bestellung 713 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 29.76 EUR |
| 30+ | 18.24 EUR |
| 60+ | 16.87 EUR |
| 120+ | 15.72 EUR |
| 510+ | 14.51 EUR |
| UF4C120053K3S |
|
Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs 1200V/53MOSICFETG4TO247-3
SiC MOSFETs 1200V/53MOSICFETG4TO247-3
auf Bestellung 294 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 30.75 EUR |
| 10+ | 23.42 EUR |
| 120+ | 19.5 EUR |
| 510+ | 17.39 EUR |
| 1020+ | 16.26 EUR |
| UF4C120053K3S |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF4C120053K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 53 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 263W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 53mohm
Description: ONSEMI - UF4C120053K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 53 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 263W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 53mohm
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 35.83 EUR |
| 8+ | 30.87 EUR |
| 10+ | 26.29 EUR |
| 50+ | 24.05 EUR |
| 100+ | 21.85 EUR |
| 250+ | 19.62 EUR |