| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 19.77 EUR |
| 25+ | 17.17 EUR |
| 100+ | 14.8 EUR |
| 250+ | 13.64 EUR |
| 600+ | 13.26 EUR |
| 3000+ | 13.23 EUR |
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Technische Details UF4C120070K3S Qorvo
Description: QORVO - UF4C120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 27.5 A, 1.2 kV, 72 mohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 27.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 217W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72mohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote UF4C120070K3S nach Preis ab 12.94 EUR bis 37.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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UF4C120070K3S | onsemi |
 Description: 1200V/70MOHM, SIC, FAST CASCODE,Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): ±20V Supplier Device Package: TO-247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Power Dissipation (Max): 217W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 20A, 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
auf Bestellung 682 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UF4C120070K3S | onsemi |
SiC MOSFETs 1200V/70MOSICFETG4TO247-3 |
auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UF4C120070K3S | QORVO |
Description: QORVO - UF4C120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 27.5 A, 1.2 kV, 72 mohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 217W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72mohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 367 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| UF4C120070K3S |
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Hersteller: onsemi
Description: 1200V/70MOHM, SIC, FAST CASCODE,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 20A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: 1200V/70MOHM, SIC, FAST CASCODE,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 20A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 682 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 25.36 EUR |
| 30+ | 15.45 EUR |
| 120+ | 13.27 EUR |
| 510+ | 12.94 EUR |
| UF4C120070K3S |
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Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs 1200V/70MOSICFETG4TO247-3
SiC MOSFETs 1200V/70MOSICFETG4TO247-3
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 25.66 EUR |
| 10+ | 19.54 EUR |
| 120+ | 16.28 EUR |
| 510+ | 13.72 EUR |
| UF4C120070K3S |
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Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UF4C120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 27.5 A, 1.2 kV, 72 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UF4C120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 27.5 A, 1.2 kV, 72 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 37.39 EUR |
| 8+ | 30.38 EUR |
| 10+ | 23.24 EUR |
| 50+ | 20.84 EUR |
| 100+ | 19.23 EUR |
| 250+ | 17.95 EUR |