| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 20.29 EUR |
| 25+ | 17.64 EUR |
| 100+ | 15.23 EUR |
| 250+ | 14.01 EUR |
| 600+ | 13.61 EUR |
| 3000+ | 13.59 EUR |
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Technische Details UF4C120070K4S Qorvo
Description: ONSEMI - UF4C120070K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 27.5 A, 1.2 kV, 72 mohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 27.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 217W, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72mohm.
Weitere Produktangebote UF4C120070K4S nach Preis ab 12.51 EUR bis 29.17 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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UF4C120070K4S | onsemi |
 SiC MOSFETs 1200V/70MOSICFETG4TO247-4 |
auf Bestellung 388 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UF4C120070K4S | onsemi |
Description: 1200V/70MOHM, SIC, FAST CASCODE, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): ±20V Supplier Device Package: TO-247-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Power Dissipation (Max): 217W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 20A, 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-4 Packaging: Tube |
auf Bestellung 28840 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UF4C120070K4S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - UF4C120070K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 27.5 A, 1.2 kV, 72 mohm, TO-247 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 217W SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 12V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72mohm |
auf Bestellung 448 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| UF4C120070K4S |
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Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs 1200V/70MOSICFETG4TO247-4
SiC MOSFETs 1200V/70MOSICFETG4TO247-4
auf Bestellung 388 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 25.68 EUR |
| 10+ | 15.79 EUR |
| 120+ | 14.83 EUR |
| 510+ | 12.63 EUR |
| UF4C120070K4S |
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Hersteller: onsemi
Description: 1200V/70MOHM, SIC, FAST CASCODE,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
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Supplier Device Package: TO-247-4
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Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 20A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Description: 1200V/70MOHM, SIC, FAST CASCODE,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 20A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 26.54 EUR |
| 30+ | 16.1 EUR |
| 120+ | 13.82 EUR |
| 510+ | 12.51 EUR |
| UF4C120070K4S |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF4C120070K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 27.5 A, 1.2 kV, 72 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
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Dauer-Drainstrom Id: 27.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 217W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72mohm
Description: ONSEMI - UF4C120070K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 27.5 A, 1.2 kV, 72 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
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SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72mohm
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 29.17 EUR |
| 11+ | 21.77 EUR |
| 15+ | 15.18 EUR |
| 50+ | 14.91 EUR |
| 100+ | 14.65 EUR |
| 250+ | 14.38 EUR |