UF4C120070K4S Qorvo
Hersteller: QorvoDescription: 1200V/70MOHM, SIC, FAST CASCODE,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 21.91 EUR |
| 30+ | 17.73 EUR |
| 120+ | 16.69 EUR |
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Technische Details UF4C120070K4S Qorvo
Description: QORVO - UF4C120070K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 27.5 A, 1.2 kV, 72 mohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 27.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 217W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72mohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote UF4C120070K4S nach Preis ab 14.5 EUR bis 24.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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UF4C120070K4S | Hersteller : Qorvo |
MOSFET 1200V/70mO,SICFET,G4,TO247-4 |
auf Bestellung 489 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UF4C120070K4S | Hersteller : QORVO |
Description: QORVO - UF4C120070K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 27.5 A, 1.2 kV, 72 mohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 217W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72mohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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