| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 38.03 EUR |
| 25+ | 33.05 EUR |
| 100+ | 28.53 EUR |
| 250+ | 26.28 EUR |
| 600+ | 25.48 EUR |
| 3000+ | 25.47 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details UF4SC120023K4S Qorvo
Description: ONSEMI - UF4SC120023K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 1.2 kV, 23 mohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 53A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote UF4SC120023K4S nach Preis ab 28.21 EUR bis 39.86 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UF4SC120023K4S | onsemi |
 Description: 1200V/23MOHM SIC STACKED FAST CASupplier Device Package: TO-247-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Power Dissipation (Max): 385W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-4 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V |
auf Bestellung 1284 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||
 |
UF4SC120023K4S | onsemi |
SiC MOSFETs 1200V/23MOSICFETG4TO24 |
auf Bestellung 728 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||
 |
UF4SC120023K4S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - UF4SC120023K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 1.2 kV, 23 mohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 53A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 385W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 376 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| UF4SC120023K4S |
|
Hersteller: onsemi
Description: 1200V/23MOHM SIC STACKED FAST CA
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 385W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Description: 1200V/23MOHM SIC STACKED FAST CA
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 385W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
auf Bestellung 1284 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 39 EUR |
| 30+ | 28.94 EUR |
| UF4SC120023K4S |
|
Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs 1200V/23MOSICFETG4TO24
SiC MOSFETs 1200V/23MOSICFETG4TO24
auf Bestellung 728 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 39.86 EUR |
| 10+ | 29.94 EUR |
| 600+ | 28.21 EUR |
| UF4SC120023K4S |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF4SC120023K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 1.2 kV, 23 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ONSEMI - UF4SC120023K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 1.2 kV, 23 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 376 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)