UGB8DT-E3/45 Vishay General Semiconductor
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Technische Details UGB8DT-E3/45 Vishay General Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB, Packaging: Tube, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V.
Weitere Produktangebote UGB8DT-E3/45
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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UGB8DT-E3/45 Produktcode: 184744 |
 Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden |
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UGB8DT-E3/45 | Hersteller : Vishay |
Diode Switching 200V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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UGB8DT-E3/45 | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB Packaging: Tube Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
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