UGB8DT-E3/45
Produktcode: 184744
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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| UGB8DT-E3/45 |
200 V 8A Surface Mount TO-263AB (D2PAK) Діоди та діодні збірки |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| UGB8DT-E3/45 | Vishay Semiconductor |
Випрямний ультрашвидкий діод SMD, Ur, В = 200, Io, А = 8, If, A = 8, Uf (max), В = 1, I, мкА @ Ur, В = 10 @ 200, trr, нс = 30, Тексп, °С = -55...+150, Темп.опір,°C/Вт = 4, Час, станд, відновл (нс)/струм, мА = 500,... Діоди Корпус: D2PAK Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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UGB8DT-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
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UGB8DT-E3/45 | Vishay General Semiconductor |
Rectifiers 200 Volt 8.0A 20ns 150 Amp IFSM |
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| UGB8DT-E3/45 |
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200 V 8A Surface Mount TO-263AB (D2PAK) Діоди та діодні збірки
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| UGB8DT-E3/45 |
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Hersteller: Vishay Semiconductor
Випрямний ультрашвидкий діод SMD, Ur, В = 200, Io, А = 8, If, A = 8, Uf (max), В = 1, I, мкА @ Ur, В = 10 @ 200, trr, нс = 30, Тексп, °С = -55...+150, Темп.опір,°C/Вт = 4, Час, станд, відновл (нс)/струм, мА = 500,... Діоди Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Випрямний ультрашвидкий діод SMD, Ur, В = 200, Io, А = 8, If, A = 8, Uf (max), В = 1, I, мкА @ Ur, В = 10 @ 200, trr, нс = 30, Тексп, °С = -55...+150, Темп.опір,°C/Вт = 4, Час, станд, відновл (нс)/струм, мА = 500,... Діоди Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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| UGB8DT-E3/45 |
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Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
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| UGB8DT-E3/45 |
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Hersteller: Vishay General Semiconductor
Rectifiers 200 Volt 8.0A 20ns 150 Amp IFSM
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