UGB8DT-E3/45
Produktcode: 184744
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller:
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Weitere Produktangebote UGB8DT-E3/45
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| UGB8DT-E3/45 |
200 V 8A Surface Mount TO-263AB (D2PAK) Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||
| UGB8DT-E3/45 | Hersteller : Vishay Semiconductor |
Випрямний ультрашвидкий діод SMD, Ur, В = 200, Io, А = 8, If, A = 8, Uf (max), В = 1, I, мкА @ Ur, В = 10 @ 200, trr, нс = 30, Тексп, °С = -55...+150, Темп.опір,°C/Вт = 4, Час, станд, відновл (нс)/струм, мА = 500,... Група товару: Діоди Корпус: D2PAK Од. Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
 |
UGB8DT-E3/45 | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
UGB8DT-E3/45 | Hersteller : Vishay General Semiconductor |
Rectifiers 200 Volt 8.0A 20ns 150 Amp IFSM |
Produkt ist nicht verfügbar |