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UGB8DT

UGB8DT Diotec Semiconductor

ugb8at.pdf Hersteller: Diotec Semiconductor
Diode Switching 200V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
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Technische Details UGB8DT Diotec Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V.

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UGB8DT UGB8DT Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8EF6AEA37AFD20C7&compId=ugb8at.pdf?ci_sign=2ebd7f8ad842065e266d9c21778139b1e81592b5 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 8A; 35ns; D2PAK; Ufmax: 1V; Ifsm: 112A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1V
Max. load current: 22A
Max. forward impulse current: 112A
Leakage current: 5µA
Kind of package: tube
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UGB8DT UGB8DT Hersteller : Diotec Semiconductor ugb8at.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
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UGB8DT UGB8DT Hersteller : Diotec Semiconductor ugb8at.pdf Rectifiers Diode, Superfast, D2PAK, 200V, 8A, 150C
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UGB8DT
Produktcode: 92900
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