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Technische Details UHB100SC12E1BC3N onsemi
Description: ONSEMI - UHB100SC12E1BC3N - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, p-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.012 ohm, PIM, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 417W, Bauform - Transistor: PIM, Anzahl der Pins: 18Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote UHB100SC12E1BC3N nach Preis ab 305.58 EUR bis 479.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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UHB100SC12E1BC3N | onsemi |
 Description: MOSFET 2P-CH 1200V 100A MODULEPackaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 P-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 417W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5859pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 70A, 12V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 40mA Supplier Device Package: Module |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UHB100SC12E1BC3N | ONSEMI |
Description: ONSEMI - UHB100SC12E1BC3N - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, p-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.012 ohm, PIM tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 417W Bauform - Transistor: PIM Anzahl der Pins: 18Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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UHB100SC12E1BC3N | Qorvo |
Discrete Semiconductor Modules UHB100SC12E1BC3N |
auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| UHB100SC12E1BC3N |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 1200V 100A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 P-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 417W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5859pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 70A, 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 40mA
Supplier Device Package: Module
Description: MOSFET 2P-CH 1200V 100A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 P-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 417W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5859pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 70A, 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 40mA
Supplier Device Package: Module
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 355.13 EUR |
| 24+ | 305.58 EUR |
| UHB100SC12E1BC3N |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - UHB100SC12E1BC3N - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, p-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.012 ohm, PIM
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: PIM
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - UHB100SC12E1BC3N - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, p-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.012 ohm, PIM
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: PIM
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 440.57 EUR |
| 5+ | 400.91 EUR |
| UHB100SC12E1BC3N |
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Hersteller: Qorvo
Discrete Semiconductor Modules UHB100SC12E1BC3N
Discrete Semiconductor Modules UHB100SC12E1BC3N
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 479.24 EUR |
| 120+ | 479.22 EUR |