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UJ3C065030B3

UJ3C065030B3 ONSEMI

3750904.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - UJ3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+35 EUR
50+34.3 EUR
100+33.61 EUR
250+32.9 EUR
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Technische Details UJ3C065030B3 ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V, Power Dissipation (Max): 242W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V, Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
UJ3C065030B3 UJ3C065030B3 Qorvo UJ3C065030B3_Data_Sheet-3177165.pdf SiC MOSFETs 650V/30mO,SICFET,G3,TO263-3
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25+33.53 EUR
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500+26.57 EUR
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UJ3C065030B3 UJ3C065030B3 onsemi UJ3C065030B3-D.PDF SiC MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO263-3
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500+30.75 EUR
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UJ3C065030B3 UJ3C065030B3 Qorvo / UnitedSiC UJ3C065030B3_Data_Sheet-3177165.pdf MOSFET 650V/30mOhm, SiC, CASCODE, G3, D2PAK-3L
auf Bestellung 2180 Stücke:
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25+39.58 EUR
100+38.79 EUR
250+33.43 EUR
800+29.89 EUR
2400+29.21 EUR
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UJ3C065030B3 UJ3C065030B3 onsemi UJ3C065030B3-D.PDF Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
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10+33.55 EUR
100+31.37 EUR
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UJ3C065030B3 UJ3C065030B3 ONSEMI 3750904.pdf Description: ONSEMI - UJ3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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UJ3C065030B3
Hersteller: Qorvo
SiC MOSFETs 650V/30mO,SICFET,G3,TO263-3
auf Bestellung 1441 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1+38.56 EUR
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Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO263-3
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MOSFET 650V/30mOhm, SiC, CASCODE, G3, D2PAK-3L
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
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Description: ONSEMI - UJ3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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5+55.32 EUR
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