UJ3C065030B3 Qorvo
Hersteller: QorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details UJ3C065030B3 Qorvo
Description: UNITEDSIC - UJ3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 65, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 242, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 242, Bauform - Transistor: D2PAK, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027, Rds(on)-Prüfspannung: 12, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote UJ3C065030B3 nach Preis ab 19.48 EUR bis 48.35 EUR
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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UJ3C065030B3 | Hersteller : Qorvo |
Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V Power Dissipation (Max): 242W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V |
auf Bestellung 4419 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UJ3C065030B3 | Hersteller : Qorvo |
MOSFET 650V/30mO,SICFET,G3,TO263-3 |
auf Bestellung 1732 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UJ3C065030B3 | Hersteller : Qorvo / UnitedSiC |
MOSFET 650V/30mOhm, SiC, CASCODE, G3, D2PAK-3L |
auf Bestellung 2180 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UJ3C065030B3 | Hersteller : Qorvo (UnitedSiC) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 47A Mounting: SMD Drain-source voltage: 650V Drain current: 47A On-state resistance: 27mΩ Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET Power dissipation: 250W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 51nC Technology: SiC Kind of transistor: cascode Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 230A Case: D2PAK Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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UJ3C065030B3 | Hersteller : Qorvo (UnitedSiC) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 47A Mounting: SMD Drain-source voltage: 650V Drain current: 47A On-state resistance: 27mΩ Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET Power dissipation: 250W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 51nC Technology: SiC Kind of transistor: cascode Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 230A Case: D2PAK |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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UJ3C065030B3 | Hersteller : UNITEDSIC |
Description: UNITEDSIC - UJ3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 65 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 242 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 242 Bauform - Transistor: D2PAK Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PW Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027 Rds(on)-Prüfspannung: 12 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 730 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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UJ3C065030B3 | Hersteller : UNITEDSIC |
Description: UNITEDSIC - UJ3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 242 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027 rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 730 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |