UJ3C065030K3S

UJ3C065030K3S United Silicon Carbide


ds_uj3c065030k3s.pdf Hersteller: United Silicon Carbide
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details UJ3C065030K3S United Silicon Carbide

Description: ONSEMI - UJ3C065030K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247, tariffCode: 85411000, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 441W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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UJ3C065030K3S UJ3C065030K3S Hersteller : onsemi uj3c065030k3s-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
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UJ3C065030K3S UJ3C065030K3S Hersteller : Qorvo UJ3C065030K3S_Data_Sheet-3177184.pdf SiC MOSFETs 650V/30mO,SICFET,G3,TO247-3
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3000+21.35 EUR
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UJ3C065030K3S UJ3C065030K3S Hersteller : ONSEMI uj3c065030k3s-d.pdf Description: ONSEMI - UJ3C065030K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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UJ3C065030K3S UJ3C065030K3S Hersteller : United Silicon Carbide ds_uj3c065030k3s.pdf Trans MOSFET P-CH SiC 650V 85A Tube
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UJ3C065030K3S UJ3C065030K3S Hersteller : Qorvo (UnitedSiC) UJ3C065030K3S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 441W
Version: ESD
Gate charge: 51nC
Kind of transistor: cascode
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 230A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 62A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Polarisation: unipolar
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