auf Bestellung 1101 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 33.07 EUR |
| 25+ | 28.76 EUR |
| 100+ | 24.80 EUR |
| 250+ | 22.84 EUR |
| 500+ | 21.28 EUR |
| 1000+ | 20.84 EUR |
| 10000+ | 20.82 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details UJ3C065030T3S Qorvo
Description: ONSEMI - UJ3C065030T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-220, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 441W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote UJ3C065030T3S nach Preis ab 24.52 EUR bis 36.04 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UJ3C065030T3S | Hersteller : Qorvo / UnitedSiC |
 MOSFET 650V/30mOhm, SiC, CASCODE, G3, TO-220-3L, REDUCED Rth |
auf Bestellung 1574 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
UJ3C065030T3S | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 85A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V Power Dissipation (Max): 441W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V |
auf Bestellung 1374 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
UJ3C065030T3S | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - UJ3C065030T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-220 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 441W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 263 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |