UJ3C065080T3S onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 6191 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 10.52 EUR |
| 50+ | 8.52 EUR |
| 100+ | 7.89 EUR |
| 500+ | 7.88 EUR |
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Technische Details UJ3C065080T3S onsemi
Description: ONSEMI - UJ3C065080T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-220, tariffCode: 85411000, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote UJ3C065080T3S nach Preis ab 6.71 EUR bis 14.33 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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UJ3C065080T3S | Hersteller : Qorvo |
SiC MOSFETs 650V/80mO,SICFET,G3,TO220-3 |
auf Bestellung 2017 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UJ3C065080T3S | Hersteller : Qorvo (UnitedSiC) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 23A Case: TO220-3 Drain-source voltage: 650V Drain current: 23A On-state resistance: 80mΩ Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET Power dissipation: 190W Polarisation: unipolar Version: ESD Gate charge: 51nC Technology: SiC Kind of transistor: cascode Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 65A Mounting: THT |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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UJ3C065080T3S | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - UJ3C065080T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-220 tariffCode: 85411000 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 798 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |