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UJ3C120040K3S

UJ3C120040K3S-D.PDF
Produktcode: 193437
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
UJ3C120040K3S UJ3C120040K3S onsemi UJ3C120040K3S-D.PDF Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 8991 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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30+40.09 EUR
120+39.63 EUR
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UJ3C120040K3S UJ3C120040K3S Qorvo UJ3C120040K3S_Data_Sheet-3177202.pdf SiC MOSFETs 1200V/40mO,SICFET,G3,TO247-3
auf Bestellung 647 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+61.68 EUR
25+53.62 EUR
100+46.27 EUR
250+42.6 EUR
600+41.32 EUR
3000+41.3 EUR
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UJ3C120040K3S UJ3C120040K3S Qorvo / UnitedSiC UJ3C120040K3S_Data_Sheet-3177202.pdf MOSFET 1200V/40mOhm, SiC, CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
auf Bestellung 279 Stücke:
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10+57.73 EUR
120+49.28 EUR
270+49.27 EUR
510+45.22 EUR
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UJ3C120040K3S UJ3C120040K3S onsemi UJ3C120040K3S_D-3578902.pdf SiC MOSFETs 1200V/40MOSICFETG3TO247-3
auf Bestellung 408 Stücke:
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10+64.65 EUR
30+46.18 EUR
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UJ3C120040K3S UJ3C120040K3S ONSEMI 3750910.pdf Description: ONSEMI - UJ3C120040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 429W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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UJ3C120040K3S USCi UJ3C120040K3S-D.PDF Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 1.2kV; 47A UJ3C120040K3S TUJ3C120040k3s
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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UJ3C120040K3S
Hersteller: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
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UJ3C120040K3S UJ3C120040K3S_Data_Sheet-3177202.pdf
UJ3C120040K3S
Hersteller: Qorvo
SiC MOSFETs 1200V/40mO,SICFET,G3,TO247-3
auf Bestellung 647 Stücke:
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25+53.62 EUR
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250+42.6 EUR
600+41.32 EUR
3000+41.3 EUR
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UJ3C120040K3S
Hersteller: Qorvo / UnitedSiC
MOSFET 1200V/40mOhm, SiC, CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
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UJ3C120040K3S UJ3C120040K3S_D-3578902.pdf
UJ3C120040K3S
Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs 1200V/40MOSICFETG3TO247-3
auf Bestellung 408 Stücke:
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1+64.82 EUR
10+64.65 EUR
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UJ3C120040K3S 3750910.pdf
UJ3C120040K3S
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - UJ3C120040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 429W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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UJ3C120040K3S UJ3C120040K3S-D.PDF
Hersteller: USCi
Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 1.2kV; 47A UJ3C120040K3S TUJ3C120040k3s
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
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