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UJ3C120080K3S

uj3c120080k3s-d.pdf
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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UJ3C120080K3S UJ3C120080K3S Hersteller : onsemi uj3c120080k3s-d.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 33A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
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UJ3C120080K3S UJ3C120080K3S Hersteller : Qorvo UJ3C120080K3S_Data_Sheet-3314831.pdf SiC MOSFETs 1200V/80mO,SICFET,G3,TO247-3
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UJ3C120080K3S UJ3C120080K3S Hersteller : onsemi UJ3C120080K3S-D.PDF SiC MOSFETs 1200V/80MOSICFETG3TO247-3
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100+17.55 EUR
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UJ3C120080K3S UJ3C120080K3S Hersteller : ONSEMI 3750912.pdf Description: ONSEMI - UJ3C120080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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VUO50-16N03
Produktcode: 210506
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