UJ3N065025K3S onsemi
Hersteller: onsemiDescription: JFET N-CH 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 650 V
Current Drain (Id) - Max: 85 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Power - Max: 441 W
Resistance - RDS(On): 33 mOhms
auf Bestellung 1301 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 36.24 EUR |
| 30+ | 24.99 EUR |
| 120+ | 23.26 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details UJ3N065025K3S onsemi
Description: QORVO - UJ3N065025K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 441W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 2V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote UJ3N065025K3S nach Preis ab 22.56 EUR bis 36.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UJ3N065025K3S | Hersteller : onsemi |
JFETs 650V/25MOSICJFETG3TO247-3 |
auf Bestellung 663 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
 |
UJ3N065025K3S | Hersteller : QORVO |
Description: QORVO - UJ3N065025K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 441W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 2V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||
| UJ3N065025K3S | Hersteller : United Silicon Carbide |
650V SiC Normally-On JFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||
| UJ3N065025K3S | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 62A Pulsed drain current: 250A Power dissipation: 441W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -20...20V On-state resistance: 43mΩ Mounting: THT Gate charge: 240nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Kind of transistor: cascode |
Produkt ist nicht verfügbar |