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Technische Details UJ3N065080K3S onsemi
Description: QORVO - UJ3N065080K3S - JFET-Transistor, TO-247, 175 °C, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 2V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote UJ3N065080K3S nach Preis ab 8.77 EUR bis 15.49 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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UJ3N065080K3S | Hersteller : onsemi |
 Description: JFET N-CH 650V 32A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 100V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 650 V Current Drain (Id) - Max: 32 A Supplier Device Package: TO-247-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Power - Max: 190 W Resistance - RDS(On): 95 mOhms |
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UJ3N065080K3S | Hersteller : QORVO |
Description: QORVO - UJ3N065080K3S - JFET-Transistor, TO-247, 175 °C tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 2V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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| UJ3N065080K3S | Hersteller : United Silicon Carbide |
650V SiC Normally-On JFET |
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