Produkte > ONSEMI > UJ3N065080K3S
UJ3N065080K3S

UJ3N065080K3S onsemi

uj3n065080k3s-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: JFET N-CH 650V 32A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 650 V
Current Drain (Id) - Max: 32 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Power - Max: 190 W
Resistance - RDS(On): 95 mOhms
auf Bestellung 622 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+18.43 EUR
30+11.51 EUR
120+10.97 EUR
510+10.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit: 10-14 Tag (e)
Mindestmenge: 2 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details UJ3N065080K3S onsemi

Description: ONSEMI - UJ3N065080K3S - JFET-Transistor, TO-247, 175 °C, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 190W, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 2V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm.

Weitere Produktangebote UJ3N065080K3S nach Preis ab 11.27 EUR bis 27.51 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
UJ3N065080K3S UJ3N065080K3S onsemi uj3n065080k3s-d.pdf JFETs 650V/80MOSICJFETG3TO2
auf Bestellung 866 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.78 EUR
10+11.98 EUR
120+11.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3N065080K3S UJ3N065080K3S ONSEMI 3750932.pdf Description: ONSEMI - UJ3N065080K3S - JFET-Transistor, TO-247, 175 °C
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+27.51 EUR
11+22.03 EUR
13+17.05 EUR
50+16.71 EUR
100+16.36 EUR
250+16.02 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3N065080K3S uj3n065080k3s-d.pdf
UJ3N065080K3S
Hersteller: onsemi
JFETs 650V/80MOSICJFETG3TO2
auf Bestellung 866 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+21.78 EUR
10+11.98 EUR
120+11.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ3N065080K3S 3750932.pdf
UJ3N065080K3S
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - UJ3N065080K3S - JFET-Transistor, TO-247, 175 °C
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+27.51 EUR
11+22.03 EUR
13+17.05 EUR
50+16.71 EUR
100+16.36 EUR
250+16.02 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH