UJ3N120035K3S onsemi
Hersteller: onsemiDescription: JFET N-CH 1200V 63A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2145pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1200 V
Current Drain (Id) - Max: 63 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Power - Max: 429 W
Resistance - RDS(On): 45 mOhms
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 45.57 EUR |
| 30+ | 33.67 EUR |
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Technische Details UJ3N120035K3S onsemi
Description: ONSEMI - UJ3N120035K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 1.2 kV, 0.031 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 63A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 429W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 2V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote UJ3N120035K3S nach Preis ab 35.13 EUR bis 50.3 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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UJ3N120035K3S | Hersteller : onsemi |
JFETs 1200V/35MOSICJFETG3TO247-3 |
auf Bestellung 744 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UJ3N120035K3S | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - UJ3N120035K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 1.2 kV, 0.031 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 429W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 2V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| UJ3N120035K3S | Hersteller : United Silicon Carbide |
35mW - 1200V SiC Normally-On JFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| UJ3N120035K3S | Hersteller : United Silicon Carbide |
UJ3N120035K3S |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| UJ3N120035K3S | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 185A; 429W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 46A Pulsed drain current: 185A Power dissipation: 429W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -20...20V On-state resistance: 76mΩ Mounting: THT Gate charge: 235nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |