auf Bestellung 791 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 50.42 EUR |
| 30+ | 38.81 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details UJ3N120035K3S onsemi
Description: ONSEMI - UJ3N120035K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 1.2 kV, 0.031 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 63A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 429W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 2V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote UJ3N120035K3S nach Preis ab 36.22 EUR bis 55.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UJ3N120035K3S | Hersteller : onsemi |
 Description: JFET N-CH 1200V 63A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2145pF @ 100V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1200 V Current Drain (Id) - Max: 63 A Supplier Device Package: TO-247-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Power - Max: 429 W Resistance - RDS(On): 45 mOhms |
auf Bestellung 3963 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
 |
UJ3N120035K3S | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - UJ3N120035K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 1.2 kV, 0.031 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 429W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 2V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||
| UJ3N120035K3S | Hersteller : United Silicon Carbide |
35mW - 1200V SiC Normally-On JFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||
| UJ3N120035K3S | Hersteller : United Silicon Carbide |
UJ3N120035K3S |
Produkt ist nicht verfügbar |