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Technische Details UJ3N120065K3S onsemi
Description: QORVO - UJ3N120065K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 66 mohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -4.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 254W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 66mohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote UJ3N120065K3S nach Preis ab 23.97 EUR bis 34.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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UJ3N120065K3S | Hersteller : onsemi |
 Description: JFET N-CH 1.2KV 34A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1008pF @ 100V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1200 V Current Drain (Id) - Max: 34 A Supplier Device Package: TO-247-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Power - Max: 254 W Resistance - RDS(On): 55 mOhms Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 µA @ 1200 V |
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UJ3N120065K3S | Hersteller : QORVO |
Description: QORVO - UJ3N120065K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 66 mohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -4.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 254W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 66mohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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