UJ3N120065K3S QORVO
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UJ3N120065K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 66 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 66mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 29.98 EUR |
| 10+ | 25.73 EUR |
| 50+ | 23.8 EUR |
| 100+ | 20.54 EUR |
| 250+ | 18.9 EUR |
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Technische Details UJ3N120065K3S QORVO
Description: QORVO - UJ3N120065K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 66 mohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -4.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 254W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 66mohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote UJ3N120065K3S nach Preis ab 20.17 EUR bis 41.53 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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UJ3N120065K3S | onsemi |
JFETs 1200V/65MOSICJFETG3TO247-3 |
auf Bestellung 556 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UJ3N120065K3S | onsemi |
Description: JFET N-CH 1.2KV 34A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1008pF @ 100V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1200 V Current Drain (Id) - Max: 34 A Supplier Device Package: TO-247-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Power - Max: 254 W Resistance - RDS(On): 55 mOhms Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 µA @ 1200 V |
auf Bestellung 1788 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| UJ3N120065K3S |
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Hersteller: onsemi
JFETs 1200V/65MOSICJFETG3TO247-3
JFETs 1200V/65MOSICJFETG3TO247-3
auf Bestellung 556 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 33.83 EUR |
| 10+ | 21.32 EUR |
| 100+ | 20.17 EUR |
| UJ3N120065K3S |
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Hersteller: onsemi
Description: JFET N-CH 1.2KV 34A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1008pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1200 V
Current Drain (Id) - Max: 34 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Power - Max: 254 W
Resistance - RDS(On): 55 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 µA @ 1200 V
Description: JFET N-CH 1.2KV 34A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1008pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1200 V
Current Drain (Id) - Max: 34 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Power - Max: 254 W
Resistance - RDS(On): 55 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 µA @ 1200 V
auf Bestellung 1788 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 41.53 EUR |
| 30+ | 26.22 EUR |
| 60+ | 24.4 EUR |
| 120+ | 22.87 EUR |
| 510+ | 22.25 EUR |