Produkte > QORVO > UJ4C075018K4S
UJ4C075018K4S

UJ4C075018K4S Qorvo

UJ4C075018K4S_Data_Sheet-3177194.pdf
Hersteller: Qorvo
SiC MOSFETs 750V/18mO,SICFET,G4,TO247-4
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+38.96 EUR
25+33.87 EUR
100+29.21 EUR
250+26.89 EUR
600+26.07 EUR
3000+26.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details UJ4C075018K4S Qorvo

Description: ONSEMI - UJ4C075018K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 750 V, 18 mohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 81A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 385W, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm.

Weitere Produktangebote UJ4C075018K4S nach Preis ab 26.13 EUR bis 42.66 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
UJ4C075018K4S UJ4C075018K4S onsemi da008703 SiC MOSFETs 750V/18MOSICFETG4TO247
auf Bestellung 628 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.19 EUR
10+26.73 EUR
100+26.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4C075018K4S UJ4C075018K4S Qorvo / UnitedSiC UJ4C075018K4S_Data_Sheet-3177194.pdf JFET 750V/18mOhm, N-Off SiC CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
auf Bestellung 815 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.66 EUR
10+39.22 EUR
120+33.09 EUR
510+29.57 EUR
1020+29.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4C075018K4S UJ4C075018K4S ONSEMI 3971379.pdf Description: ONSEMI - UJ4C075018K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 750 V, 18 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 385W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
auf Bestellung 598 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4C075018K4S da008703
UJ4C075018K4S
Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs 750V/18MOSICFETG4TO247
auf Bestellung 628 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+42.19 EUR
10+26.73 EUR
100+26.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4C075018K4S UJ4C075018K4S_Data_Sheet-3177194.pdf
UJ4C075018K4S
Hersteller: Qorvo / UnitedSiC
JFET 750V/18mOhm, N-Off SiC CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
auf Bestellung 815 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+42.66 EUR
10+39.22 EUR
120+33.09 EUR
510+29.57 EUR
1020+29.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4C075018K4S 3971379.pdf
UJ4C075018K4S
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - UJ4C075018K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 750 V, 18 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 385W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
auf Bestellung 598 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH