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| Anzahl | Preis |
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| 25+ | 28.46 EUR |
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Technische Details UJ4C075018K4S Qorvo
Description: QORVO - UJ4C075018K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 750 V, 18 mohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 81A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote UJ4C075018K4S nach Preis ab 24.41 EUR bis 35.85 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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UJ4C075018K4S | Hersteller : Qorvo / UnitedSiC |
 JFET 750V/18mOhm, N-Off SiC CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH |
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UJ4C075018K4S | Hersteller : QORVO |
Description: QORVO - UJ4C075018K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 750 V, 18 mohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 81A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 385W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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UJ4C075018K4S | Hersteller : onsemi |
Description: SICFET N-CH 750V 81A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 12V Power Dissipation (Max): 385W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-4 Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1422 pF @ 100 V |
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