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UJ4C075023B7S

UJ4C075023B7S Qorvo

UJ4C075023B7S_Data_Sheet-3177178.pdf
Hersteller: Qorvo
SiC MOSFETs 750V/23mO,SICFET,G4,TO263-7
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Technische Details UJ4C075023B7S Qorvo

Description: 750V/23MOHM, N-OFF SIC CASCODE,, Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Supplier Device Package: D2PAK-7, Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA, Power Dissipation (Max): 278W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc), FET Type: N-Channel.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
UJ4C075023B7S UJ4C075023B7S QORVO 3971387.pdf Description: QORVO - UJ4C075023B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 750 V, 23 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 543 Stücke:
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8+31.44 EUR
9+27.29 EUR
10+23.43 EUR
50+22.51 EUR
100+21.59 EUR
250+20.67 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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UJ4C075023B7S UJ4C075023B7S onsemi UJ4C075023B7S-D.PDF SiC MOSFETs 750V/23MOSICFETG4TO263
auf Bestellung 787 Stücke:
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1+34.83 EUR
10+24.8 EUR
100+21.88 EUR
800+20.42 EUR
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UJ4C075023B7S UJ4C075023B7S onsemi UJ4C075023B7S-D.PDF Description: 750V/23MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 445 Stücke:
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1+35.5 EUR
10+25.38 EUR
100+24.41 EUR
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UJ4C075023B7S ONN UJ4C075023B7S-D.PDF
auf Bestellung 800 Stücke:
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UJ4C075023B7S
Hersteller: QORVO
Description: QORVO - UJ4C075023B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 750 V, 23 mohm, D2PAK
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Drain-Source-Spannung Vds: 750V
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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SiC MOSFETs 750V/23MOSICFETG4TO263
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UJ4C075023B7S
Hersteller: onsemi
Description: 750V/23MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Packaging: Cut Tape (CT)
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