UJ4C075033K3S Qorvo / UnitedSiC
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Technische Details UJ4C075033K3S Qorvo / UnitedSiC
Description: QORVO - UJ4C075033K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 33 mohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 242W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 33mohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote UJ4C075033K3S nach Preis ab 11.29 EUR bis 22.46 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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UJ4C075033K3S | Hersteller : UnitedSiC |
 JFET 750V/33mOhm, N-Off SiC CASCODE, G4, TO-247-3L, REDUCED RTH |
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UJ4C075033K3S | Hersteller : Qorvo |
SiC MOSFETs 750V/33mO,SICFET,G4,TO247-3 |
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UJ4C075033K3S | Hersteller : onsemi |
Description: 750V/33MOHM, SIC, CASCODE, G4, T Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V Power Dissipation (Max): 242W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V |
auf Bestellung 793 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UJ4C075033K3S | Hersteller : QORVO |
Description: QORVO - UJ4C075033K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 33 mohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 242W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 33mohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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