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UJ4C075033K3S

UJ4C075033K3S Qorvo / UnitedSiC

UJ4C075033K3S_Data_Sheet-3177216.pdf
Hersteller: Qorvo / UnitedSiC
JFET 750V/33mOhm, N-Off SiC CASCODE, G4, TO-247-3L, REDUCED RTH
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Technische Details UJ4C075033K3S Qorvo / UnitedSiC

Description: ONSEMI - UJ4C075033K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 33 mohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 242W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 33mohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
UJ4C075033K3S UJ4C075033K3S UnitedSiC UJ4C075033K3S-D.PDF JFET 750V/33mOhm, N-Off SiC CASCODE, G4, TO-247-3L, REDUCED RTH
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UJ4C075033K3S UJ4C075033K3S Qorvo UJ4C075033K3S_Data_Sheet-3177216.pdf SiC MOSFETs 750V/33mO,SICFET,G4,TO247-3
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UJ4C075033K3S UJ4C075033K3S onsemi UJ4C075033K3S-D.PDF SiC MOSFETs 750V/33MOSICFETG4TO247-3
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UJ4C075033K3S UJ4C075033K3S onsemi UJ4C075033K3S-D.PDF Description: 750V/33MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
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UJ4C075033K3S UJ4C075033K3S ONSEMI UJ4C075033K3S-D.PDF Description: ONSEMI - UJ4C075033K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 33 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 33mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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UJ4C075033K3S
Hersteller: UnitedSiC
JFET 750V/33mOhm, N-Off SiC CASCODE, G4, TO-247-3L, REDUCED RTH
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Hersteller: Qorvo
SiC MOSFETs 750V/33mO,SICFET,G4,TO247-3
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Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs 750V/33MOSICFETG4TO247-3
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UJ4C075033K3S
Hersteller: onsemi
Description: 750V/33MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
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Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
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UJ4C075033K3S
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - UJ4C075033K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 33 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 33mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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