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UJ4SC075009B7S

UJ4SC075009B7S onsemi

UJ4SC075009B7S-D.PDF
Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs 750V/9MOSICFETG4TO263-7
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Technische Details UJ4SC075009B7S onsemi

Description: 750V/9MOHM, N-OFF SIC STACK CASC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 12V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 400 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
UJ4SC075009B7S UJ4SC075009B7S onsemi UJ4SC075009B7S-D.PDF Description: 750V/9MOHM, N-OFF SIC STACK CASC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 12V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 400 V
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UJ4SC075009B7S
Hersteller: onsemi
Description: 750V/9MOHM, N-OFF SIC STACK CASC
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Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 12V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
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Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
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Hersteller: UnitedSiC
JFET
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Hersteller: Qorvo / UnitedSiC
JFET
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Hersteller: Qorvo
SiC MOSFETs 750V/9mO,SICFET,G4,TO263-7
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