UJ4SC075009B7S onsemi
Hersteller: onsemiDescription: 750V/9MOHM, N-OFF SIC STACK CASC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 12V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 400 V
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| Anzahl | Preis |
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| 800+ | 35.94 EUR |
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Technische Details UJ4SC075009B7S onsemi
Description: 750V/9MOHM, N-OFF SIC STACK CASC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 12V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 400 V.
Weitere Produktangebote UJ4SC075009B7S nach Preis ab 37.47 EUR bis 76 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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UJ4SC075009B7S | Hersteller : onsemi |
Description: 750V/9MOHM, N-OFF SIC STACK CASC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 12V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 400 V |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UJ4SC075009B7S | Hersteller : onsemi |
SiC MOSFETs 750V/9MOSICFETG4TO263-7 |
auf Bestellung 688 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UJ4SC075009B7S | Hersteller : UnitedSiC |
JFET |
auf Bestellung 382 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UJ4SC075009B7S | Hersteller : Qorvo / UnitedSiC |
JFET |
auf Bestellung 1071 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UJ4SC075009B7S | Hersteller : Qorvo |
SiC MOSFETs 750V/9mO,SICFET,G4,TO263-7 |
auf Bestellung 1039 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UJ4SC075009B7S | Hersteller : QORVO |
Description: QORVO - UJ4SC075009B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 106 A, 750 V, 9 mohm, D2PAK tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 106A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: D2PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9mohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| UJ4SC075009B7S | Hersteller : United Silicon Carbide |
Trans MOSFET N-CH SiC 750V 106A 8-Pin(7+Tab) D2PAK |
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