| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 60.84 EUR |
| 25+ | 57.37 EUR |
| 100+ | 57.2 EUR |
| 250+ | 56.42 EUR |
| 600+ | 56.22 EUR |
| 1200+ | 56.07 EUR |
| 3000+ | 55.94 EUR |
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Technische Details UJ4SC075009K4S Qorvo
Description: ONSEMI - UJ4SC075009K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 106 A, 750 V, 9 mohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 106A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9mohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote UJ4SC075009K4S nach Preis ab 49.49 EUR bis 85.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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UJ4SC075009K4S | onsemi |
 Description: 750V/9MOHM, SIC, STACKED CASCODESupplier Device Package: TO-247-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-4 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V |
auf Bestellung 422 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UJ4SC075009K4S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - UJ4SC075009K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 106 A, 750 V, 9 mohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 106A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9mohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 226 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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UJ4SC075009K4S | Qorvo / UnitedSiC |
JFET 750V/9mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH |
auf Bestellung 474 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| UJ4SC075009K4S |
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Hersteller: onsemi
Description: 750V/9MOHM, SIC, STACKED CASCODE
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Description: 750V/9MOHM, SIC, STACKED CASCODE
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
auf Bestellung 422 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 73.93 EUR |
| 30+ | 49.49 EUR |
| UJ4SC075009K4S |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - UJ4SC075009K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 106 A, 750 V, 9 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
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Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ONSEMI - UJ4SC075009K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 106 A, 750 V, 9 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 85.37 EUR |
| 5+ | 72.91 EUR |
| 10+ | 62.44 EUR |
| 50+ | 57.68 EUR |
| 100+ | 55.45 EUR |
| UJ4SC075009K4S |
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Hersteller: Qorvo / UnitedSiC
JFET 750V/9mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
JFET 750V/9mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
auf Bestellung 474 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 85.62 EUR |
| 10+ | 79.9 EUR |
| 120+ | 69.64 EUR |
| 510+ | 68.38 EUR |