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Technische Details UJ4SC075009K4S Qorvo
Description: ONSEMI - UJ4SC075009K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 106 A, 750 V, 9 mohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 106A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9mohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote UJ4SC075009K4S nach Preis ab 41.59 EUR bis 71.95 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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UJ4SC075009K4S | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 12V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 400 V |
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UJ4SC075009K4S | Hersteller : Qorvo / UnitedSiC |
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auf Bestellung 474 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UJ4SC075009K4S | Hersteller : ONSEMI |
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