Produkte > TOSHIBA > ULN2003AFWG(M)

ULN2003AFWG(M) Toshiba

ULN2003_TOS.pdf
Hersteller: Toshiba
Транзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 1,25, Тип стр. = 7 NPN, Uceo, В = 50, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, hFE = 1000 @ 350 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 500 мкА, 350 мA, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Транзистори Корпус: SOICN-16
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details ULN2003AFWG(M) Toshiba

Транзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 1,25, Тип стр. = 7 NPN, Uceo, В = 50, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, hFE = 1000 @ 350 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 500 мкА, 350 мA, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Транзистори Корпус: SOICN-16 , Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke.