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UM6K31NFHATCN

UM6K31NFHATCN Rohm Semiconductor

datasheet?p=UM6K31NFHA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Technische Details UM6K31NFHATCN Rohm Semiconductor

Description: ROHM - UM6K31NFHATCN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 250 mA, 250 mA, 2.4 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 150mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.4ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 150mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
UM6K31NFHATCN UM6K31NFHATCN Rohm Semiconductor um6k31nfha-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.25A Automotive 6-Pin UMT T/R
auf Bestellung 3104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
527+0.32 EUR
577+0.3 EUR
671+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
2000+0.21 EUR
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 527 Stücke
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UM6K31NFHATCN UM6K31NFHATCN Rohm Semiconductor datasheet?p=UM6K31NFHA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.94 EUR
36+0.58 EUR
50+0.42 EUR
100+0.37 EUR
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Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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UM6K31NFHATCN UM6K31NFHATCN ROHM um6k31nfha-e.pdf Description: ROHM - UM6K31NFHATCN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 250 mA, 250 mA, 2.4 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.4ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
241+1.04 EUR
390+0.6 EUR
794+0.27 EUR
885+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 241 Stücke
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UM6K31NFHATCN UM6K31NFHATCN ROHM datasheet?p=UM6K31NFHA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - UM6K31NFHATCN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 250 mA, 250 mA, 2.4 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1069 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
224+1.12 EUR
360+0.64 EUR
559+0.38 EUR
764+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 224 Stücke
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UM6K31NFHATCN UM6K31NFHATCN ROHM Semiconductor datasheet?p=UM6K31NFHA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Nch+Nch 60V Vds 3Rds(on) SOT-363
auf Bestellung 2859 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.39 EUR
10+0.95 EUR
100+0.61 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.2 EUR
9000+0.18 EUR
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.25A Automotive 6-Pin UMT T/R
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
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Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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UM6K31NFHATCN
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - UM6K31NFHATCN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 250 mA, 250 mA, 2.4 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.4ohm
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Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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UM6K31NFHATCN
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - UM6K31NFHATCN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 250 mA, 250 mA, 2.4 ohm
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Qualifikation: AEC-Q101
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.4ohm
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Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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AnzahlPrivatkunde
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360+0.64 EUR
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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch+Nch 60V Vds 3Rds(on) SOT-363
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AnzahlPrivatkunde
3+1.39 EUR
10+0.95 EUR
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500+0.37 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.2 EUR
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