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UM6K31NTN

UM6K31NTN Rohm Semiconductor

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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 6-Pin UMT T/R
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Technische Details UM6K31NTN Rohm Semiconductor

Description: ROHM - UM6K31NTN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 250 mA, 250 mA, 1.7 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.7ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 150mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.7ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 150mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
UM6K31NTN UM6K31NTN Rohm Semiconductor datasheet?p=UM6K31N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
auf Bestellung 66000 Stücke:
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3000+0.19 EUR
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UM6K31NTN UM6K31NTN Rohm Semiconductor um6k31n-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 6-Pin UMT T/R
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643+0.26 EUR
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2500+0.24 EUR
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UM6K31NTN UM6K31NTN ROHM um6k31ntn-e.pdf Description: ROHM - UM6K31NTN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 250 mA, 250 mA, 1.7 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.7ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.62 EUR
770+0.27 EUR
834+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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UM6K31NTN UM6K31NTN ROHM Semiconductor datasheet?p=UM6K31N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Trans MOSFET N-CH 60V 0.25A
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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UM6K31NTN UM6K31NTN ROHM um6k31ntn-e.pdf Description: ROHM - UM6K31NTN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 250 mA, 250 mA, 1.7 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.7ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3365 Stücke:
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239+1.05 EUR
378+0.62 EUR
770+0.27 EUR
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1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
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Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
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Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 6-Pin UMT T/R
auf Bestellung 843 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 6-Pin UMT T/R
auf Bestellung 2800 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
620+0.29 EUR
643+0.26 EUR
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UM6K31NTN
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - UM6K31NTN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 250 mA, 250 mA, 1.7 ohm
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rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 250mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.7ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.62 EUR
770+0.27 EUR
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1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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MOSFETs Trans MOSFET N-CH 60V 0.25A
auf Bestellung 23721 Stücke:
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5+0.8 EUR
10+0.43 EUR
100+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.15 EUR
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - UM6K31NTN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 250 mA, 250 mA, 1.7 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.7ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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378+0.62 EUR
770+0.27 EUR
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1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
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