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UM6K33NTN

UM6K33NTN Rohm Semiconductor

datasheet?p=UM6K33N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
auf Bestellung 549000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
9000+0.14 EUR
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Technische Details UM6K33NTN Rohm Semiconductor

Description: ROHM - UM6K33NTN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 1.6 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 150mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Verlustleistung, n-Kanal: 150mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
UM6K33NTN UM6K33NTN Rohm Semiconductor um6k33n-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 6-Pin UMT T/R
auf Bestellung 44174 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
820+0.21 EUR
910+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
2000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
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Mindestbestellmenge: 820 Stücke
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UM6K33NTN UM6K33NTN Rohm Semiconductor um6k33n-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 6-Pin UMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
575+0.3 EUR
597+0.29 EUR
1000+0.27 EUR
2500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 575 Stücke
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UM6K33NTN UM6K33NTN Rohm Semiconductor um6k33n-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 6-Pin UMT T/R
auf Bestellung 2666 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
575+0.3 EUR
597+0.29 EUR
1000+0.27 EUR
2500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 575 Stücke
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UM6K33NTN UM6K33NTN ROHM Semiconductor um6k33n_e-1873471.pdf MOSFETs 1.2V Drive Nch+Nch MOSFET
auf Bestellung 146843 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.51 EUR
11+0.31 EUR
100+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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UM6K33NTN UM6K33NTN ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=UM6K33N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 0.8A; 150mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.15W
Case: UMT6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 7.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 2647 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+0.52 EUR
228+0.37 EUR
341+0.25 EUR
407+0.21 EUR
582+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
1500+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
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UM6K33NTN UM6K33NTN Rohm Semiconductor datasheet?p=UM6K33N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
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28+0.77 EUR
45+0.48 EUR
100+0.3 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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UM6K33NTN UM6K33NTN ROHM ROHMS25786-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - UM6K33NTN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
254+0.99 EUR
384+0.61 EUR
855+0.25 EUR
1082+0.2 EUR
1471+0.14 EUR
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UM6K33NTN UM6K33NTN ROHM ROHMS25786-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - UM6K33NTN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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UM6K33NTN
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Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 6-Pin UMT T/R
auf Bestellung 44174 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 6-Pin UMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
575+0.3 EUR
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AnzahlPrivatkunde
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MOSFETs 1.2V Drive Nch+Nch MOSFET
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AnzahlPrivatkunde
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UM6K33NTN
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 0.8A; 150mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.15W
Case: UMT6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 7.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 2647 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
162+0.52 EUR
228+0.37 EUR
341+0.25 EUR
407+0.21 EUR
582+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
1500+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
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UM6K33NTN datasheet?p=UM6K33N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UM6K33NTN
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
auf Bestellung 560119 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
28+0.77 EUR
45+0.48 EUR
100+0.3 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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UM6K33NTN ROHMS25786-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
UM6K33NTN
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - UM6K33NTN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
usEccn: EAR99
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
254+0.99 EUR
384+0.61 EUR
855+0.25 EUR
1082+0.2 EUR
1471+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 254 Stücke
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UM6K33NTN ROHMS25786-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
UM6K33NTN
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - UM6K33NTN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
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Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2225 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
254+0.99 EUR
384+0.61 EUR
855+0.25 EUR
1082+0.2 EUR
1471+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 254 Stücke
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