Produkte > ROHM SEMICONDUCTOR > UM6K33NTN
UM6K33NTN

UM6K33NTN Rohm Semiconductor

datasheet?p=UM6K33N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
auf Bestellung 675000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.11 EUR
6000+0.10 EUR
9000+0.09 EUR
21000+0.09 EUR
30000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details UM6K33NTN Rohm Semiconductor

Description: ROHM - UM6K33NTN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 1.6 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 150mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Verlustleistung, n-Kanal: 150mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote UM6K33NTN nach Preis ab 0.10 EUR bis 0.62 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
UM6K33NTN UM6K33NTN Hersteller : Rohm Semiconductor um6k33n-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 6-Pin UMT T/R
auf Bestellung 44174 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
820+0.18 EUR
910+0.16 EUR
1000+0.15 EUR
2000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
12000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 820
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UM6K33NTN UM6K33NTN Hersteller : Rohm Semiconductor um6k33n-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 6-Pin UMT T/R
auf Bestellung 2666 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
575+0.26 EUR
597+0.24 EUR
1000+0.22 EUR
2500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 575
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UM6K33NTN UM6K33NTN Hersteller : Rohm Semiconductor um6k33n-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 6-Pin UMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
575+0.26 EUR
597+0.24 EUR
1000+0.22 EUR
2500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 575
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UM6K33NTN UM6K33NTN Hersteller : ROHM Semiconductor um6k33n_e-1873471.pdf MOSFETs 1.2V Drive Nch+Nch MOSFET
auf Bestellung 146843 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+0.43 EUR
11+0.26 EUR
100+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UM6K33NTN UM6K33NTN Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=UM6K33N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
auf Bestellung 677177 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+0.62 EUR
46+0.38 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UM6K33NTN UM6K33NTN Hersteller : ROHM ROHMS25786-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - UM6K33NTN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UM6K33NTN UM6K33NTN Hersteller : ROHM ROHMS25786-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - UM6K33NTN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UM6K33NTN datasheet?p=UM6K33N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH