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UMB4NTN

UMB4NTN ROHM Semiconductor

datasheet?p=UMB4N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP 50V 100MA
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Technische Details UMB4NTN ROHM Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Supplier Device Package: UMT6.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
UMB4NTN ROHM datasheet?p=UMB4N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key 09+
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UMB4 N TN ROHM SOT363-B4
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