UMG8NTR

UMG8NTR ROHM SEMICONDUCTOR


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD88D4FB996FAE80D2&compId=umg8n.pdf?ci_sign=6383141b23f844a184044a9f6c101cb0706a3d6c Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC88A,SOT353
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC88A; SOT353
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Semiconductor structure: common emitter
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
auf Bestellung 2595 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
313+0.23 EUR
421+0.17 EUR
564+0.13 EUR
636+0.11 EUR
1211+0.059 EUR
1283+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details UMG8NTR ROHM SEMICONDUCTOR

Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT5, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: UMT5, Part Status: Active.

Weitere Produktangebote UMG8NTR nach Preis ab 0.13 EUR bis 0.68 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
UMG8NTR UMG8NTR Hersteller : Rohm Semiconductor emg8t2r-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 5-Pin UMT T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
588+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 588
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMG8NTR UMG8NTR Hersteller : Rohm Semiconductor emg8t2r-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 5-Pin UMT T/R
auf Bestellung 9641 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
703+0.4 EUR
1000+0.19 EUR
2000+0.18 EUR
3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 703
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMG8NTR UMG8NTR Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=UMG8N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT5
Part Status: Active
auf Bestellung 633 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+0.67 EUR
43+0.41 EUR
100+0.26 EUR
500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMG8NTR UMG8NTR Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=UMG8N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors DUAL NPN 50V 100MA
auf Bestellung 3610 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+0.68 EUR
10+0.42 EUR
100+0.26 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.16 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMG8NTR UMG8NTR Hersteller : Rohm Semiconductor emg8t2r-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 5-Pin UMT T/R
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMG8NTR UMG8NTR Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=UMG8N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT5
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH