UMH3NTN Rohm Semiconductor
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 989+ | 0.15 EUR |
| 1022+ | 0.14 EUR |
| 2500+ | 0.13 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details UMH3NTN Rohm Semiconductor
Description: ROHM - UMH3NTN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, zweifach, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: UMH3N Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote UMH3NTN nach Preis ab 0.11 EUR bis 0.76 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UMH3NTN | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: UMT6 Part Status: Active |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
UMH3NTN | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 6-Pin UMT T/R |
auf Bestellung 9153 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
UMH3NTN | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 6-Pin UMT T/R |
auf Bestellung 2947 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
UMH3NTN | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Digital Transistors DUAL NPN 50V 100MA SOT-363 |
auf Bestellung 4440 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
UMH3NTN | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: UMT6 Part Status: Active |
auf Bestellung 5907 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
UMH3NTN | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - UMH3NTN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, zweifach, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: UMH3N Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1003 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
UMH3NTN | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - UMH3NTN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, zweifach, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: UMH3N Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1193 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
UMH3NTN | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 6-Pin UMT T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |