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UMZ1NT1G

UMZ1NT1G ON Semiconductor

umz1nt1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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Technische Details UMZ1NT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - UMZ1NT1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 250 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 114MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 250mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA, Übergangsfrequenz, PNP: 114MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 250mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Weitere Produktangebote UMZ1NT1G nach Preis ab 0.045 EUR bis 0.52 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
UMZ1NT1G UMZ1NT1G ON Semiconductor umz1nt1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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6000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 3461 Stücke
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UMZ1NT1G UMZ1NT1G ON Semiconductor umz1nt1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
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18000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 3497 Stücke
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UMZ1NT1G UMZ1NT1G ON Semiconductor umz1nt1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 3522 Stücke
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UMZ1NT1G UMZ1NT1G onsemi umz1nt1-d.pdf Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC88/SC70
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Frequency - Transition: 114MHz, 142MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 250mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.087 EUR
6000+0.079 EUR
9000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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UMZ1NT1G UMZ1NT1G ON Semiconductor umz1nt1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1613+0.11 EUR
1629+0.1 EUR
1924+0.087 EUR
2151+0.076 EUR
3000+0.068 EUR
6000+0.061 EUR
15000+0.052 EUR
30000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 1613 Stücke
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UMZ1NT1G UMZ1NT1G ON Semiconductor umz1nt1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
665+0.26 EUR
986+0.17 EUR
1613+0.096 EUR
1629+0.092 EUR
1924+0.074 EUR
2151+0.063 EUR
3000+0.057 EUR
6000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 665 Stücke
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UMZ1NT1G UMZ1NT1G ONSEMI umz1nt1-d.pdf Description: ONSEMI - UMZ1NT1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 250 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 114MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 250mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 114MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 250mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 4845 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
654+0.38 EUR
910+0.25 EUR
1471+0.14 EUR
2000+0.11 EUR
2084+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 654 Stücke
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UMZ1NT1G UMZ1NT1G onsemi umz1nt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 200mA 60V Dual Complementary
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9+0.42 EUR
14+0.26 EUR
100+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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UMZ1NT1G UMZ1NT1G onsemi umz1nt1-d.pdf Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC88/SC70
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Frequency - Transition: 114MHz, 142MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 250mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 13742 Stücke:
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50+0.42 EUR
80+0.26 EUR
129+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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UMZ1NT1G UMZ1NT1G ONSEMI 2355582.pdf Description: ONSEMI - UMZ1NT1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 250 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 114MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 250mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 114MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 250mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4554 Stücke:
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474+0.52 EUR
800+0.29 EUR
1241+0.18 EUR
1603+0.13 EUR
1863+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 474 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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3461+0.05 EUR
6000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 3461 Stücke
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UMZ1NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3497+0.05 EUR
6000+0.049 EUR
18000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 3497 Stücke
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UMZ1NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3522+0.05 EUR
6000+0.046 EUR
18000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 3522 Stücke
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UMZ1NT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC88/SC70
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Frequency - Transition: 114MHz, 142MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 250mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.087 EUR
6000+0.079 EUR
9000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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UMZ1NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1613+0.11 EUR
1629+0.1 EUR
1924+0.087 EUR
2151+0.076 EUR
3000+0.068 EUR
6000+0.061 EUR
15000+0.052 EUR
30000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 1613 Stücke
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UMZ1NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
665+0.26 EUR
986+0.17 EUR
1613+0.096 EUR
1629+0.092 EUR
1924+0.074 EUR
2151+0.063 EUR
3000+0.057 EUR
6000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 665 Stücke
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UMZ1NT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - UMZ1NT1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 250 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 114MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 250mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 114MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 250mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 4845 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
654+0.38 EUR
910+0.25 EUR
1471+0.14 EUR
2000+0.11 EUR
2084+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 654 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMZ1NT1G umz1nt1-d.pdf
UMZ1NT1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 200mA 60V Dual Complementary
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+0.42 EUR
14+0.26 EUR
100+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMZ1NT1G umz1nt1-d.pdf
UMZ1NT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC88/SC70
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Frequency - Transition: 114MHz, 142MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 250mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 13742 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+0.42 EUR
80+0.26 EUR
129+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMZ1NT1G 2355582.pdf
UMZ1NT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - UMZ1NT1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 250 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 114MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 250mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 114MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 250mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4554 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
474+0.52 EUR
800+0.29 EUR
1241+0.18 EUR
1603+0.13 EUR
1863+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 474 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMZ1NT1G umz1nt1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 3922 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH