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UMZ1NT1G

UMZ1NT1G onsemi


UMZ1NT1_D-2320068.pdf Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 200mA 60V Dual Complementary
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Technische Details UMZ1NT1G onsemi

Description: ONSEMI - UMZ1NT1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 250 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 114, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 250, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200, Verlustleistung Pd: 250, Übergangsfrequenz, PNP: 114, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 250, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, DC-Kollektorstrom: 200, Betriebstemperatur, max.: 150, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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UMZ1NT1G UMZ1NT1G Hersteller : ONSEMI 2355582.pdf Description: ONSEMI - UMZ1NT1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 250 mW
tariffCode: 85412100
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Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 250
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200
Verlustleistung Pd: 250
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Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50
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Bauform - Transistor: SC-70
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 250
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
DC-Kollektorstrom: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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UMZ1NT1G UMZ1NT1G Hersteller : ONSEMI 2355582.pdf Description: ONSEMI - UMZ1NT1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 250 mW
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Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
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Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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UMZ1NT1G UMZ1NT1G Hersteller : ON Semiconductor umz1nt1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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UMZ1NT1G Hersteller : ON Semiconductor umz1nt1-d.pdf
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UMZ1NT1G UMZ1NT1G Hersteller : ON Semiconductor umz1nt1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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UMZ1NT1G UMZ1NT1G Hersteller : ON Semiconductor umz1nt1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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UMZ1NT1G UMZ1NT1G Hersteller : onsemi umz1nt1-d.pdf Description: TRAN NPN/PNP 50V 0.2A SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 114MHz, 142MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
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UMZ1NT1G UMZ1NT1G Hersteller : onsemi umz1nt1-d.pdf Description: TRAN NPN/PNP 50V 0.2A SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 114MHz, 142MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
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