UMZ1NT1G ON Semiconductor
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Technische Details UMZ1NT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - UMZ1NT1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 250 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 114MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 250mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA, Übergangsfrequenz, PNP: 114MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 250mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote UMZ1NT1G nach Preis ab 0.034 EUR bis 0.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||||
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UMZ1NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
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UMZ1NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
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UMZ1NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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UMZ1NT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC88/SC70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 2µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 114MHz, 142MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
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UMZ1NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
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UMZ1NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
auf Bestellung 32000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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UMZ1NT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC88/SC70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 2µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 114MHz, 142MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
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UMZ1NT1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 200mA 60V Dual Complementary |
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UMZ1NT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - UMZ1NT1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 250 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 114MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 250mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA Übergangsfrequenz, PNP: 114MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 250mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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UMZ1NT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - UMZ1NT1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 250 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 114MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 250mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA Übergangsfrequenz, PNP: 114MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 250mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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UMZ1NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| UMZ1NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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