UPTB10E3/TR7 MICROSEMI

DO-216AA/1000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE UPTB10
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Technische Details UPTB10E3/TR7 MICROSEMI
Description: TVS DIODE 10VWM 18VC POWERMITE 1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-216AA, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Applications: General Purpose, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8.33A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10V, Supplier Device Package: Powermite 1 (DO216-AA), Bidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 11V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 18V, Power - Peak Pulse: 1000W (1kW), Power Line Protection: No.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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UPTB10E3/TR7 | Hersteller : Microchip Technology |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-216AA Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8.33A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10V Supplier Device Package: Powermite 1 (DO216-AA) Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 11V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 18V Power - Peak Pulse: 1000W (1kW) Power Line Protection: No |
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UPTB10E3/TR7 | Hersteller : Microsemi |
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