US1B-E3/5AT

US1B-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division


us1_test_dcicons.pdf Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
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Technische Details US1B-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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US1B-E3/5AT US1B-E3/5AT Hersteller : Vishay General Semiconductor us1_test_dcicons.pdf Rectifiers 100 Volt 1.0A 50ns 30 Amp IFSM
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US1B-E3/5AT US1B-E3/5AT Hersteller : Vishay us1_test_dcicons.pdf Diode Switching 100V 1A 2-Pin SMA T/R
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US1B-E3/5AT US1B-E3/5AT Hersteller : Vishay us1_test_dcicons.pdf Diode Switching 100V 1A 2-Pin SMA T/R
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US1B-E3/5AT US1B-E3/5AT Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division us1_test_dcicons.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
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Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
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Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
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Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
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