US6K1TR Rohm Semiconductor
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Technische Details US6K1TR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - US6K1TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.34 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TUMT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.34ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote US6K1TR nach Preis ab 0.17 EUR bis 1.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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US6K1TR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.5A 6-Pin TUMT T/R |
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US6K1TR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.5A 6-Pin TUMT T/R |
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US6K1TR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: TUMT6 |
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US6K1TR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: TUMT6 |
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US6K1TR | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 2N-CH 30V 1.5A |
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US6K1TR | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - US6K1TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.34 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TUMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.34ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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| US6K1TR |
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