US6M11TR


datasheet?p=US6M11&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Produktcode: 174450
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote US6M11TR nach Preis ab 0.31 EUR bis 1.57 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
US6M11TR US6M11TR Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=US6M11&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 20V/12V 1.5A TUMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A, 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Active
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.32 EUR
6000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
US6M11TR US6M11TR Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=US6M11&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs TRANS MOSFET N/P-CH 20V/12V 6PIN
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.41 EUR
10+0.88 EUR
100+0.57 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
3000+0.34 EUR
6000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
US6M11TR US6M11TR Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=US6M11&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 20V/12V 1.5A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A, 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Active
auf Bestellung 9635 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+1.57 EUR
21+0.84 EUR
100+0.5 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH