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UT6JB5TCR

UT6JB5TCR ROHM Semiconductor

datasheet?p=UT6JB5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs DFN2020 2PCH 40V 3.5A
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Technische Details UT6JB5TCR ROHM Semiconductor

Description: ROHM - UT6JB5TCR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.095 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
UT6JB5TCR UT6JB5TCR ROHM datasheet?p=UT6JB5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - UT6JB5TCR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.095 ohm
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
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Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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UT6JB5TCR UT6JB5TCR ROHM datasheet?p=UT6JB5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - UT6JB5TCR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.095 ohm
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Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
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Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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UT6JB5TCR datasheet?p=UT6JB5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UT6JB5TCR
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - UT6JB5TCR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.095 ohm
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
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Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
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Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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UT6JB5TCR
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - UT6JB5TCR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.095 ohm
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Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
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Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
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Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
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Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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140+1.67 EUR
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