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Technische Details UT6JE5TCR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 100V 1A HUML2020L8, Supplier Device Package: HUML2020L8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 840mOhm @ 1A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Power - Max: 2W (Ta), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Configuration: 2 P-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-PowerUDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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UT6JE5TCR | Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 100V 1A 8-Pin HUML |
auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 44 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| UT6JE5TCR |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 1A 8-Pin HUML
Trans MOSFET P-CH 100V 1A 8-Pin HUML
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