UT6K3TCR Rohm Semiconductor
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| 139+ | 1.24 EUR |
| 179+ | 0.95 EUR |
| 218+ | 0.76 EUR |
| 500+ | 0.54 EUR |
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Technische Details UT6K3TCR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - UT6K3TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.03 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.5A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote UT6K3TCR nach Preis ab 0.39 EUR bis 2.26 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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UT6K3TCR | ROHM |
 Description: ROHM - UT6K3TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.03 ohmtariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.5A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 2483 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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UT6K3TCR | ROHM |
Description: ROHM - UT6K3TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.03 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 2483 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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UT6K3TCR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 8-Pin HUML EP T/R |
auf Bestellung 3400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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UT6K3TCR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 8-Pin HUML EP T/R |
auf Bestellung 2441 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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UT6K3TCR | ROHM Semiconductor |
MOSFETs 30V Nch+Nch Si MOSFET |
auf Bestellung 2258 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UT6K3TCR | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A HUML2020L8 Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 2W Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-PowerUDFN Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Supplier Device Package: HUML2020L8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A |
auf Bestellung 5345 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| UT6K3TCR |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - UT6K3TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ROHM - UT6K3TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2483 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 182+ | 1.38 EUR |
| 211+ | 1.11 EUR |
| 304+ | 0.7 EUR |
| 500+ | 0.6 EUR |
| 1000+ | 0.5 EUR |
| UT6K3TCR |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - UT6K3TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ROHM - UT6K3TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2483 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 182+ | 1.38 EUR |
| 211+ | 1.11 EUR |
| 304+ | 0.7 EUR |
| 500+ | 0.6 EUR |
| 1000+ | 0.5 EUR |
| UT6K3TCR |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 8-Pin HUML EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 8-Pin HUML EP T/R
auf Bestellung 3400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 87+ | 1.98 EUR |
| 139+ | 1.19 EUR |
| 179+ | 0.89 EUR |
| 218+ | 0.7 EUR |
| 500+ | 0.49 EUR |
| 3000+ | 0.39 EUR |
| UT6K3TCR |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 8-Pin HUML EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 8-Pin HUML EP T/R
auf Bestellung 2441 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 250+ | 1.99 EUR |
| UT6K3TCR |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs 30V Nch+Nch Si MOSFET
MOSFETs 30V Nch+Nch Si MOSFET
auf Bestellung 2258 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.23 EUR |
| 10+ | 1.02 EUR |
| 100+ | 0.92 EUR |
| 500+ | 0.7 EUR |
| 1000+ | 0.69 EUR |
| 3000+ | 0.56 EUR |
| 6000+ | 0.54 EUR |
| UT6K3TCR |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A HUML2020L8
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A HUML2020L8
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
auf Bestellung 5345 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 2.26 EUR |
| 15+ | 1.42 EUR |
| 100+ | 0.93 EUR |
| 500+ | 0.73 EUR |
| 1000+ | 0.65 EUR |