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UT6MA2TCR

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Produktcode: 184866
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
UT6MA2TCR UT6MA2TCR Rohm Semiconductor datasheet?p=UT6MA2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 15V, 305pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4A, 10V, 70mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 10V, 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.44 EUR
9000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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UT6MA2TCR UT6MA2TCR Rohm Semiconductor ut6ma2tcr-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A 8-Pin HUML EP T/R
auf Bestellung 765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
176+0.99 EUR
223+0.76 EUR
270+0.62 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 176 Stücke
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UT6MA2TCR UT6MA2TCR Rohm Semiconductor ut6ma2tcr-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A 8-Pin HUML EP T/R
auf Bestellung 2022 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
237+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 237 Stücke
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UT6MA2TCR UT6MA2TCR Rohm Semiconductor ut6ma2tcr-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A 8-Pin HUML EP T/R
auf Bestellung 765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+1.58 EUR
176+0.95 EUR
223+0.71 EUR
270+0.57 EUR
500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
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UT6MA2TCR UT6MA2TCR ROHM Semiconductor datasheet?p=UT6MA2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 30V Nch+Pch Middle Power MOSFET
auf Bestellung 7586 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.76 EUR
10+1.09 EUR
100+0.71 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
3000+0.43 EUR
6000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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UT6MA2TCR UT6MA2TCR Rohm Semiconductor datasheet?p=UT6MA2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 15V, 305pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4A, 10V, 70mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 10V, 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
auf Bestellung 37467 Stücke:
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12+1.8 EUR
19+1.12 EUR
50+0.82 EUR
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UT6MA2TCR UT6MA2TCR Rohm Semiconductor ut6ma2tcr-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A 8-Pin HUML EP T/R
auf Bestellung 183 Stücke:
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UT6MA2TCR Fairchild/ON Semiconductor ut6ma2tcr-e.pdf Транзистор польовий N+P, Udss, В = 30, Id = 4 А, Qg, нКл = 4,3, 6,7, Rds = 46, 70 мОм, Ugs(th) = 2,5, Р, Вт = 2, Тексп, °C = макс. +150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerUDFN-6 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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UT6MA2TCR
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 15V, 305pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4A, 10V, 70mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 10V, 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
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UT6MA2TCR
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 15V, 305pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4A, 10V, 70mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 10V, 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A 8-Pin HUML EP T/R
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Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Транзистор польовий N+P, Udss, В = 30, Id = 4 А, Qg, нКл = 4,3, 6,7, Rds = 46, 70 мОм, Ugs(th) = 2,5, Р, Вт = 2, Тексп, °C = макс. +150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerUDFN-6 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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