V20120S-E3/4W Vishay General Semiconductor

Schottky Diodes & Rectifiers 20 Amp 120 Volt Single TrenchMOS
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Technische Details V20120S-E3/4W Vishay General Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO2203, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: TO-220-3, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.12 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 120 V.
Weitere Produktangebote V20120S-E3/4W nach Preis ab 0.75 EUR bis 1.94 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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V20120S-E3/4W | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-220-3 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.12 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 120 V |
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V20120S-E3/4W | Hersteller : Vishay |
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