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VBT10200C-E3/4W

VBT10200C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division

vt10200c.pdf
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOTT 200V 5A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 200 V
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Technische Details VBT10200C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE ARR SCHOTT 200V 5A TO263AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 200 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
VBT10200C-E3/4W VBT10200C-E3/4W Vishay General Semiconductor vt10200c.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 10A 200V TrenchMOS
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VBT10200C-E3/4W VBT10200C-E3/4W Vishay Semiconductors vt10200c.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 10A 200V TrenchMOS
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