VBT3080S-E3/4W Vishay General Semiconductor
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Technische Details VBT3080S-E3/4W Vishay General Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 30A TO263AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 30A, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 80 V.
Weitere Produktangebote VBT3080S-E3/4W
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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VBT3080S-E3/4W | Hersteller : Vishay |
 Diode Schottky 80V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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VBT3080S-E3/4W | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 30A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 80 V |
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