VN0104N3-G-P013 Microchip Technology
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Technische Details VN0104N3-G-P013 Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 350mA; Idm: 2A; 1W; TO92, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 0.35A, Pulsed drain current: 2A, Power dissipation: 1W, Case: TO92, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 3Ω, Mounting: THT, Kind of package: Ammo Pack, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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| VN0104N3-G-P013 | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 350mA; Idm: 2A; 1W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 0.35A Pulsed drain current: 2A Power dissipation: 1W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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VN0104N3-G-P013 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 40V 350MA TO92-3 |
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| VN0104N3-G-P013 | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 350mA; Idm: 2A; 1W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 0.35A Pulsed drain current: 2A Power dissipation: 1W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Kind of channel: enhanced |
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