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VN2110K1-G

VN2110K1-G Microchip Technology

vn2110b082013.pdf Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details VN2110K1-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - VN2110K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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VN2110K1-G VN2110K1-G Hersteller : Microchip Technology vn2110b082013.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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VN2110K1-G VN2110K1-G Hersteller : Microchip Technology vn2110b082013.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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VN2110K1-G VN2110K1-G Hersteller : Microchip Technology VN2110-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-20005793A.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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VN2110K1-G VN2110K1-G Hersteller : Microchip Technology VN2110-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-20005793A.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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VN2110K1-G VN2110K1-G Hersteller : Microchip Technology VN2110_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-3442181.pdf MOSFETs 100V 4Ohm
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VN2110K1-G VN2110K1-G Hersteller : MICROCHIP 2607057.pdf Description: MICROCHIP - VN2110K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4337 Stücke:
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VN2110K1-G VN2110K1-G Hersteller : MICROCHIP 2607057.pdf Description: MICROCHIP - VN2110K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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